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技术前沿 | 薄膜铌酸锂引领高速传输新时期
2024-10-31
AI数据中心重要依赖400G及以上高速光？，硅光DR？槌晌髁，面对提升调造器带宽和效能的挑战，薄膜铌酸锂调造器成为未来高速度光？榈那痹诮饩龉婊。
AI数据中心的利用需要根基都是400G及以上的高速光？，光？樗俣鹊奶嵘孕酒拇硪笤嚼丛礁。目前400G以上速度的光？橛泄韫夂妥杂煽占涔饬街旨际豕婊，其中硅光的DR？槭悄壳暗闹髁鞴婊。
光？榈拇渌俣热【鲇诘髟炱鞫怨庑藕诺牡髟焖俣，速度越高，调造器的带宽就必要越大。直调的DFB芯片的带宽在速度超过50Gbps之后很难提升，只能通过EML表调造来提升。但是EML芯片的制品率低，工艺造作难度大，成本高昂始终是个不容忽视的问题。在传统的自由空间光封装中，必要LD与Driver的带宽同时提升能力满足高速度的使用要求，在高速度利用中是个技术攻关与成本攻克难题。
硅光规划能够美满解决这个问题，对于多通路并行规划的封装，硅光的调造器速度在100G以内是足够用的，只必要表部增长一个DFB的大功率光源即可，调造职能由硅光PIC的调造器实现，DFB的芯片也不必要对换造带宽有过高的要求。并且硅光PIC的造作工艺与CMOS平台齐全兼容，能够大规模批量出产。
当前，400G/800G光？橥ǔＱ∪」韫獾髟炱骰駿ML激光器规划，可满足单波最高速度100Gbps的需要。硅光调造器带宽和电吸收调造器功耗的限度，实现单波200Gbps数据速度存在较大挑战，必要攻克调造器带宽和效能提升技术，以满足下一代1.6T及以上光？榈募际醯枰？稍じ斜攘Τ墒斓拇婀婊潜∧ゎ晁犸髟炱，拥有更高的带宽潜力和调造效能，在骨干有关通讯网络中已实现规 ；。针对短距离光？槔，薄膜铌酸锂调造器的机能齐全能支持800G、1.6T及更高速度光？。
高速度调造器发展利用
